液晶显示器的典型制造工艺
液晶显示器的制造工艺与集成电路的制造工艺基本相似,不同的是液晶显示器中的TFT层状结构制作于玻璃基板上,而不是硅片上,此外,TFT加工工艺所要求的温度范围是
300~500oC,而集成电路制作工艺要求的温度范围是1000 oC。
3.1淀积工艺
应用于液晶显示器制造工艺的淀积(Deposition)方法主要有两种:一种是离子增强型化学气相淀积法,另一种是溅射淀积法。离子增强型化学气相淀积的基本原理是:将玻璃基
板至于真空腔室中,并且加热至一定的温度,随后通入混合气体,同时RF电压施加于腔室电极上,混合气体转变为离子状态,于是在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀
层。溅射淀积法的基板原理是:在真空室中,利用荷能粒子轰击靶,使其原子获得足够的能量而溅出进入气相,然后在工件表面淀积出与靶相同材料的薄膜。一般地,为不改变靶
材的化学性质,荷能粒子为氦离子和氩离子。溅射淀积法有直流溅射法、射频溅射法等多种。
3.2光刻工艺
光刻工艺(Photolithography process)是将掩膜上的图形转移至玻璃基板上的过程。由于LCD板上的刻线品质取决于光刻工艺,因此它是LCD加工过程中z重要的工艺之一。光刻
工艺对环境中的粉尘颗粒很敏感,因此它必须置于高度洁净的室内完成。
3.3刻蚀工艺
刻蚀工艺分为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺,湿法刻蚀工艺用液体化学试剂以化学方式去除基板表面的材料,其优点是用时短、成本低、操作简单。干法刻蚀工艺是用等离子体进
行薄膜线条腐蚀的一种工艺,按照反应机理可分为等离子刻蚀、反应离子刻蚀、磁增强反应离子刻蚀和高密度等离子刻蚀等类型,按结构形式又可分为筒型、平行平板型。干法刻
蚀工艺的优点是横向腐蚀小,控制精度高,大面积刻蚀均匀性好,利用ICP技术还可以刻蚀垂直度和光洁度都非常好的镜面,因此,干法腐蚀在制作微米及深亚微米,纳米级的几何
图形加工方面,有很明显的优势。